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              產(chǎn)品中心

              Product Center

              當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心電力設(shè)備電阻率測定儀SN/STZ-8北京半導(dǎo)體導(dǎo)電型號鑒別儀

              北京半導(dǎo)體導(dǎo)電型號鑒別儀

              產(chǎn)品簡介

              北京半導(dǎo)體導(dǎo)電型號鑒別儀 測量范圍:硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

              溫差法:10-4~10Ω?cm

              整流法:10~103Ω?cm,并對<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。

              2. 可測量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。

              可測半導(dǎo)體材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。

              產(chǎn)品型號:SN/STZ-8
              更新時(shí)間:2024-10-18
              廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
              訪問量:904
              詳細(xì)介紹在線留言
              產(chǎn)地類別國產(chǎn)

              半導(dǎo)體導(dǎo)電型號鑒別儀 硅單晶材料PN測量儀

              型號:SN/STZ-8

              北京半導(dǎo)體導(dǎo)電型號鑒別儀主要技術(shù)指標(biāo):

              1. 測量范圍:硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

              溫差法:10-4~10Ω?cm

              整流法:10~103Ω?cm,并對<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。

              2.
              北京半導(dǎo)體導(dǎo)電型號鑒別儀可測量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。

              可測半導(dǎo)體材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。

              3. 顯示方式:P、N 燈顯示。

              4.
              測試探頭:手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

              5. 電源:220V 50HZ 20W

              6. 儀器尺寸:100×260×260
              主要技術(shù)指標(biāo):

              1. 測量范圍:硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

              溫差法:10-4~10Ω?cm

              整流法:10~103Ω?cm,并對<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。

              2. 可測量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。

              可測半導(dǎo)體材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。

              3. 顯示方式:P、N 燈顯示。

              4. 測試探頭:手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

              5. 電源:220V 50HZ 20W

              6. 儀器尺寸:100×260×260主要技術(shù)指標(biāo):

              1. 測量范圍:硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

              溫差法:10-4~10Ω?cm

              整流法:10~103Ω?cm,并對<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。

              2. 可測量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。

              可測半導(dǎo)體材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。

              3. 顯示方式:P、N 燈顯示。

              4. 測試探頭:手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

              5. 電源:220V 50HZ 20W

              6. 儀器尺寸:100×260×260主要技術(shù)指標(biāo):

              1. 測量范圍:硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

              溫差法:10-4~10Ω?cm

              整流法:10~103Ω?cm,并對<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。

              2. 可測量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。

              可測半導(dǎo)體材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。

              3. 顯示方式:P、N 燈顯示。

              4. 測試探頭:手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

              5. 電源:220V 50HZ 20W

              6. 儀器尺寸:100×260×260主要技術(shù)指標(biāo):

              1. 測量范圍:硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm

              溫差法:10-4~10Ω?cm

              整流法:10~103Ω?cm,并對<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。

              2. 可測量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。

              可測半導(dǎo)體材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。

              3. 顯示方式:P、N 燈顯示。

              4. 測試探頭:手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼

              5. 電源:220V 50HZ 20W

              6. 儀器尺寸:100×260×260

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