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              產(chǎn)品中心

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              當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心電力設(shè)備其他電力設(shè)備SN/KDS-1北京快速雙單元控制電位電解儀

              北京快速雙單元控制電位電解儀

              產(chǎn)品簡(jiǎn)介

              北京快速雙單元控制電位電解儀是采用控制陰極電位的原理,對(duì)銅及銅合金中的銅、銀及部分銀合金中的銀進(jìn)行定量分析和彼此分離。

              1. 儀器整機(jī)分為兩個(gè)單元,可單獨(dú)分析一個(gè)樣品亦可同時(shí)分析兩個(gè)樣品
              2. 分析速度快,一次分析時(shí)間不大于60min(殘留量分析時(shí)間除外),較常規(guī)分析提高了4-20倍。

              產(chǎn)品型號(hào):SN/KDS-1
              更新時(shí)間:2024-10-23
              廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
              訪問量:870
              詳細(xì)介紹在線留言
              產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)

              快速雙單元控制電位電解儀  銅銀分析儀

              型號(hào):SN/KDS-1

              北京快速雙單元控制電位電解儀應(yīng)用與特點(diǎn):
                KDS-1型快速雙單元控制電位電解儀是采用控制陰極電位的原理,對(duì)銅及銅合金中的銅、銀及部分銀合金中的銀進(jìn)行定量分析和彼此分離。

              1.
              北京快速雙單元控制電位電解儀儀器整機(jī)分為兩個(gè)單元,可單獨(dú)分析一個(gè)樣品亦可同時(shí)分析兩個(gè)樣品
              2. 分析速度快,一次分析時(shí)間不大于60min(殘留量分析時(shí)間除外),較常規(guī)分析提高了4-20倍
              3. 電位控制精度高,正負(fù)極向,電壓大小均一次顯示,方便清晰
              技術(shù)指標(biāo):
              1. 輸出電壓:≤10V
              2. 輸出電流:≤10A
              3. 輸入阻抗:≥50kΩ
              4. 電位控制精度:±3mV
              5. 電位控制范圍:±1999mV 應(yīng)用與特點(diǎn):  KDS-1型快速雙單元控制電位電解儀是采用控制陰極電位的原理,對(duì)銅及銅合金中的銅、銀及部分銀合金中的銀進(jìn)行定量分析和彼此分離。

              1. 儀器整機(jī)分為兩個(gè)單元,可單獨(dú)分析一個(gè)樣品亦可同時(shí)分析兩個(gè)樣品
              2. 分析速度快,一次分析時(shí)間不大于60min(殘留量分析時(shí)間除外),較常規(guī)分析提高了4-20倍
              3. 電位控制精度高,正負(fù)極向,電壓大小均一次顯示,方便清晰技術(shù)指標(biāo):1. 輸出電壓:≤10V
              2. 輸出電流:≤10A
              3. 輸入阻抗:≥50kΩ
              4. 電位控制精度:±3mV
              5. 電位控制范圍:±1999mV 應(yīng)用與特點(diǎn):  KDS-1型快速雙單元控制電位電解儀是采用控制陰極電位的原理,對(duì)銅及銅合金中的銅、銀及部分銀合金中的銀進(jìn)行定量分析和彼此分離。

              1. 儀器整機(jī)分為兩個(gè)單元,可單獨(dú)分析一個(gè)樣品亦可同時(shí)分析兩個(gè)樣品
              2. 分析速度快,一次分析時(shí)間不大于60min(殘留量分析時(shí)間除外),較常規(guī)分析提高了4-20倍
              3. 電位控制精度高,正負(fù)極向,電壓大小均一次顯示,方便清晰技術(shù)指標(biāo):1. 輸出電壓:≤10V
              2. 輸出電流:≤10A
              3. 輸入阻抗:≥50kΩ
              4. 電位控制精度:±3mV
              5. 電位控制范圍:±1999mV 

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